Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Sulaiman A$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
1. |
Sulaiman A. Erbium-doped fibre ring laser based on microfibre coupler [Електронний ресурс] / A. Sulaiman, M. Z. Muhammad, H. Ahmad, S. W. Harun // Ukrainian journal of physical optics. - 2013. - Vol. 14, № 4. - С. 196-199. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2013_14_4_5
| 2. |
Ethel A. N. Influence of sense of coherence on work-life balance at the South African public service [Електронний ресурс] / A. N. Ethel, F. Ziska, A. O. Sulaiman // Problems and perspectives in management. - 2016. - Vol. 14, Iss. 1(contin). - С. 206-216. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/prperman_2016_14_1(contin)__11
| 3. |
Sulaiman A. A. Optical and Electrical Properties of n-type Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching and Study of the Influence of γ-irradiation [Електронний ресурс] / A. A. Sulaiman, A. A. K. Muhammed, M. M. Ivashchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05025-1-05025-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_27 Шари пористого кремнію було одержано за допомогою методу електрохімічного травлення. Проведено дослідження фізичних та структурних властивостей шарів. Растрову електронну мікроскопію (РЕМ) та фрактографію було використано для дослідження впливу гамма-випромінювання на поруватість зразків залежно від ступеня опромінення. Ріст поруватості у проекції ширини може бути пояснений збільшенням кількості дірок на поверхні шару кремнію у разі збільшення дози опромінення. Фрактограми шарів вказують на ріст кристалітів перпендикулярно підкладці з орієнтацією росту <<111>>. Дослідження спектрів пропускання та відбивання показало, що у разі збільшення дози опромінення від 0 до 100 Гр значення пропускання зразка зменшувалося, а відбивання, відповідно, збільшувало своє значення. Дослідження спектрів фотолюмінесценції шарів вказало на те, що утворення суцільних шарів кремнію призводить до зменшення інтенсивності піків фотолюмінесценції у разі збільшення інтенсивності гама-випромінювання, що пов'язане зі збільшенням площі поверхні зразка та більшим значенням забороненої зони у порівнянні з масивним зразком. Проведено розрахунок таких електрофізичних параметрів, як питомі опори та провідності, висота потенційного бар'єру та фактор ідеальності. Висота потенційного бар'єру у всіх випадках мала невелике значення, що пов'язано з наявністю інтерфейсу між шаром пористого кремнію та кремнієвою підкладкою, що призводить до виникнення дефектної підструктури. У разі збільшення дози опромінення з 0 до 100 Гр фактор ідеальності збільшував своє значення з 1,544 до 17,563, відповідно. Спостерігалося зменшення значення питомого опору у разі збільшення значення гамма-опромінення.
|
|
|